研究报告
隆基、协鑫宣布无偿公开光伏专利
2017-04-25   | 编辑:rheatsao   |    1086 浏览人次

技术对太阳能业者而言既是命脉也是钱脉,但SNEC 2017 展会期间,隆基乐叶、保利协鑫分别无偿公开各自在单晶、多晶方面的专利技术,引发业界关注。

隆基、协鑫宣布无偿公开光伏专利

隆基乐叶在4月20日宣布公开可降低单晶衰减问题的“光致再生(LIR)”技术。LIR技术被应用于乐叶光伏所开发的Hi-MO2等单晶PERC组件产品当中,可有效降低P型单晶电池常见的LID(光衰)问题,提高整体发电功率表现。

单晶组件的功率衰退分成初始光衰与长期衰退两类,其中初始光衰会使组件的发电性能从一开始就大幅降低。乐叶光伏为解决此问题,与新南威尔斯大学、武汉帝尔激光科技公司合作研发LIR技术,有效降低初始光衰,进而提升光伏电站在系统端的整体发电效益约1%左右。隆基乐叶宣布分享LIR技术,希望能带动全球光伏产业进展。

隆基、协鑫宣布无偿公开光伏专利

另一方面,在单晶强势进攻下快速发展的黑硅技术,也由保利协鑫带头宣布无偿开放TS系列黑硅片的制绒(蚀刻)技术。4月21日,保利协鑫副总裁吕锦标宣布公开此技术,希望能嘉惠更多业者。

保利协鑫的TS系列黑硅硅片采用金刚线切多晶硅片与独家的“鑫绒面”多孔蚀刻技术,可降低成本同时提高转换效率。在电池片上,转换效率可提高0.3~0.5个百分点;在组件端上,降本幅度更可达每W人民币0.1元。保利协鑫表示,目前全球有约55GW的多晶规模,多晶硅片年产能超过122亿片,透过此技术,每片加工成本可降低0.5元人民币以上,十分可观。

业界对于单、多晶龙头厂商带头开放技术的行为多表示赞许,并认为这将帮助光伏发电进一步走入市电同价(平价上网)阶段。

 
标签:乐叶光伏 , 保利协鑫 , 隆基股份 , 黑硅
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