在PERC席卷高效电池技术之际，透过黑硅（black silicon）技术优化金刚线切多晶硅片，进而提升多晶电池片转换效率的技术，亦重新获得重视。中国一线大厂晶科能源计划透过PERC加上黑硅技术，在今年开始量产转换效率达20.5%的高效多晶电池片。

在PERC技术进展下，晶科的量产多晶电池片转换效率平均已接近20%，为业界龙头。为进一步提高电池效率并降低硅片切割成本，晶科决定采用金刚线切搭配黑硅技术来处理。

金刚线切多晶硅片时，会使所生产的电池表面过于光亮，使光反射率过高而降低电池的转换效率，因此需加上一道被称为“黑硅技术”的表面蚀刻工艺处理，形成奈米级凹坑，增加入射光的捕捉量。

黑硅技术目前分成干法蚀刻离子反应法（Reactive Ion Etching，RIE）与湿法的金属催化化学腐蚀法（Metal Catalyzed Chemical Etching，MECC）两种，晶科所采用的是干法的RIE工艺，并已成功生产业界第一款金刚线切黑硅产品EAGLE BLACK；结合PERC与RIE技术，晶科希望在今年开始量产性价比更好的20.5%多晶高效电池片，较现行多晶PERC电池平均18.8~18.9%的效率更高。

此外，晶科亦着手研究低成本的MCEE工艺。该工艺已完成开发，目前正在进行认证。未来3至5年内，晶科希望能进一步量产60-cell输出功率330W的组件，较目前功率提高22~30%。