4月19日，保利协鑫在2017 SNEC国际太阳能产业及光伏工程展览会上重磅发布新一代整锭单晶G3硅片产品。据介绍，该产品使用铸锭技术生产单晶，具有“高产能、高效率、低成本、低光衰”等多重优势。来自多家电池组件企业的资料显示，整锭单晶硅片G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率差均小于0.5个百分点，同时在成本上有较大优势，对光伏的高效化、平价化发展意义重大，有望给传统单晶技术带来深刻变革。

铸锭全单晶技术取得突破性进展

不同于采用直拉法制备的传统单晶，新产品采用铸锭技术，单次投料量更大，生产成本甚至优于采用“一炉三根”、“一炉四根”的直拉法单晶。同时，由于整锭单晶硅片晶向一致，可使用堿制绒工艺，因此转换效率非常接近直拉单晶产品，并可融合PERC等高效电池技术，带来更高的产品效率。

据介绍，整锭单晶硅片G3基于保利协鑫最新的整锭全单晶技术平台，单晶面积可达99%以上，显著优于“鑫单晶”前代产品和业界同类产品。资料显示，批量生产的整锭单晶硅片G3在常规工艺下的电池转换效率可达19.52%，在PERC电池工艺下可达20.85%，与同样工艺的直拉单晶效率相差不超过0.5个百分点。与同样边长的直拉单晶硅片相比，整锭单晶硅片面积更大，组件封装损失更小。普通电池工艺的G3硅片60片组件功率达到280-285瓦，应用PERC工艺可达295-300瓦。

不仅如此，G3硅片还继承了铸锭技术产品“光衰”较低的优点，与常规多晶持平，显著优于传统直拉单晶。对应用端来说，G3新产品同时实现了“高效率”、“低衰减”的双重目标，实际效率更高。

完美融合多晶和单晶的产品优势

保利协鑫首席技术官万跃鹏表示，整锭单晶硅片G3通过技术提升，将常规多晶的高产能、低光衰和低封装损失，以及传统直拉单晶的高转换效率、低位元错密度、匹配高效电池技术等优势融为一体，未来有望成为最具竞争力的高效光伏产品。

一直以来，光伏企业采用铸锭技术生产多晶、采用直拉法生产单晶。但据万跃鹏介绍，无论是铸锭技术还是直拉技术，都可以生产单晶或者多晶。保利协鑫“鑫单晶”创造性地采用铸锭技术路线生产单晶，融合了单晶完美的晶体结构和表面特性、多晶的低成本等优势。而且，铸锭“鑫单晶”硅片更容易扩大尺寸，未来可根据客户定制需求拓展硅片面积并进行标准化生产。资料显示，边长157.75mm的“鑫单晶”硅片较之156mm的常规硅片，有效面积增加5.51%，在单位转换效率不变的情况下，60片元件功率可因此提升6.1瓦。

阿特斯、天合光能、晶澳太阳能、台湾茂迪、晋能科技、通威太阳能等业界领先的光伏企业代表参加了G3新品发布会。茂迪股份董事长兼执行长张秉衡讲话表示，今年由于政策的原因导致单晶产品供应失衡，给业者造成了很大困扰，有大量新建的单晶电池、组件投资却买不到硅片。保利协鑫多年来持续研发整锭单晶硅片产品，为单晶提供了更具竞争力的技术路线，为产业发展做出了实实在在的贡献。晋能科技总经理杨立友表示，整锭单晶产品带来了转换效率的“质”的变化，相信在中国强大的光伏产业链的支撑下，铸锭单晶技术在未来将有很大的发展空间。

保利协鑫总裁朱战军表示，整锭单晶硅片G3是对常规多晶和传统直拉单晶产品的推陈出新，不但完美解决了多晶、单晶长期以来的技术争论，还可以满足客户对效率、价格、品质的多重需求。通过技术进步和产品创新，保利协鑫将不断降本增效，以硅片技术进步为杠杆，撬动电池、元件及整个光伏系统成本的持续下降，为光伏平价上网增加助力。