意法半导体推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智慧电网设备。
 
意法半导体这次推出的1200V SCT20N120进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290mΩ的导通电组（RDS(ON)）及高达200°C的最大工作接面温度等诸多特性优势；其高度稳定的关机能源（Eoff）与闸极电荷（Qg）可使开关性能在整个工作温度范围内表现始终如一。最终的低导通和切换损耗结合超低漏电流将有助于简化热管理设计，并最大幅度地提高可靠性。
 
除更低的电能耗损外，意法半导体的碳化硅MOSFET的开关频率较同等级的硅绝缘闸双极性电晶体（IGBT）高出三倍，SCT20N120的耐高温特性可大幅简化电源组件、电动汽车等应用的冷却／散热系统（cooling-system）设计。它还采用意法半导体独有的HiP247™封装，其更高的热效率可使管线在最大工作温度高达200°C时，依然能够维持与TO-247工业标准功率封装外型相容。